企业简介
嘉兴斯达微电子有限公司 main business:半导体芯片、电子元器件的设计、生产销售；经营进出口业务（不含进口商品分销业务）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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嘉兴斯达微电子有限公司的工商信息
- 330400000011612
- 91330402799643380W
- 存续
- 有限责任公司(外商投资企业法人独资)
- 2007-03-26
- 沈华
- 5000万元人民币
- 2007-03-26 至 永久
- 南湖区行政审批局
- 嘉兴市中环南路斯达路18号（嘉兴斯达半导体有限公司内）
- 半导体芯片、电子元器件的设计、生产销售；经营进出口业务（不含进口商品分销业务）。
嘉兴斯达微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103779282B | 一种便于安装的功率半导体模块 | 2016.08.24 | 一种便于安装的功率半导体模块，它主要包括：直接覆铜基板、功率半导体芯片、外壳、功率端子组件、芯片包覆 |
| 2 | CN101656466A | 高集成智能型功率模块 | 2010.02.24 | 本发明提供了一种高集成智能型功率模块，它包括外壳和功率基板，在外壳内集成有功率模块、驱动模块，外壳内 |
| 3 | CN103779341B | 一种大功率半桥模块 | 2016.07.27 | 一种大功率半桥模块，它包括有一块散热基板，在该散热基板上至少粘结有四个绝缘基板，所述绝缘基板上通过回 |
| 4 | CN103780066B | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块 | 2017.05.03 | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、信号 |
| 5 | CN103779313B | 一种带电极压力装置的功率半导体模块 | 2017.02.01 | 一种带电极压力装置的功率半导体模块，它包括一与功率半导体芯片进行焊接并进行铝线键合的绝缘金属基板，该 |
| 6 | CN103779296B | 一种组合式键合外壳 | 2017.02.01 | 一种组合式键合外壳，它主要由外壳套、若干个端子和外壳底板通过组装而成，所述的端子根据具体电路布置插入 |
| 7 | CN103779247B | 一种将功率半导体模块端子焊接到基板的方法 | 2016.11.23 | 一种将功率半导体模块端子焊接到基板的方法，该方法选为材质相同或热膨胀系数相近的材料制成端子和基板，所 |
| 8 | CN103779293B | 一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块 | 2016.08.24 | 一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块，它主要包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯 |
| 9 | CN101587867A | 一种用于绝缘栅双极型晶体管模块的基板 | 2009.11.25 | 本发明公开了一种用于绝缘栅双极型晶体管模块的基板，它包括基板和直接敷铜基板，基板具有一定的预变形结构 |
| 10 | CN201466026U | 功率端子直接键合的功率模块 | 2010.05.12 | 本实用新型公开了一种功率端子直接键合的功率模块，包括芯片、绝缘基板、散热板、功率端子和外壳，功率端子 |
| 11 | CN204857711U | 用激光阻焊的功率模块 | 2015.12.09 | 激光束阻焊的功率模块，它主要包括半导体芯片、覆铜陶瓷基板、焊料及铜基板，所述的铜基板上用激光束蚀刻形 |
| 12 | CN204834605U | 带有热管系统的功率模块 | 2015.12.02 | 带有热管系统的功率模块，它主要包括：外壳，键合引线，半导体芯片，金属化陶瓷衬底，第一焊接层，第二焊接 |
| 13 | CN204831167U | 一种精准测量平整物整体曲面的测量装置 | 2015.12.02 | 一种精准测量平整物整体曲面的测量装置，它包括一带有水平仪的支柱，该支柱上横向连接有一带有导轨的主尺， |
| 14 | CN204831111U | 一种物体表面镀层厚度的检测装置 | 2015.12.02 | 一种物体表面镀层厚度的检测装置，它主要包括一带有上端面的检测支架，所述的检测支架上设置有一根可在检测 |
| 15 | CN105091738A | 一种精准测量平整物整体曲面的测量装置及测量方法 | 2015.11.25 | 一种精准测量平整物整体曲面的测量装置及测量方法，所述测量装置包括一带有水平仪的支柱，该支柱上横向连接 |
| 16 | CN204792767U | 二极管功率模块 | 2015.11.18 | 二极管功率模块，它主要包括：半导体芯片，金属化陶瓷衬底，铝带，散热基板和外壳，所述的二极管芯片通过焊 |
| 17 | CN105043210A | 一种物体表面镀层厚度的检测装置及过程管控方法 | 2015.11.11 | 一种物体表面镀层厚度的检测装置及过程管控方法，所述的检测装置主要包括一带有上端面的检测支架，检测支架 |
| 18 | CN104952824A | 一种用激光阻焊的功率模块 | 2015.09.30 | 一种激光束阻焊的功率模块，它主要包括半导体芯片、覆铜陶瓷基板、焊料及铜基板，所述的铜基板上用激光束蚀 |
| 19 | CN104916612A | 一种功率模块及制作方法 | 2015.09.16 | 一种功率模块，它主要包括：一基板；一个或多个半导体芯片和一个或多个功率端子连接底座通过钎焊焊接至基板 |
| 20 | CN104900640A | 一种带卡环结构外壳的功率半导体模块 | 2015.09.09 | 一种带卡环结构外壳的功率半导体模块，它包括：外壳，散热基板，封装在外壳内的绝缘基板，二极管芯片，IG |
| 21 | CN104900602A | 一种功率模块和制造功率模块过程中控制焊料厚度的方法 | 2015.09.09 | 一种功率模块，它主要包括：半导体芯片，绝缘基板，散热基板，所述绝缘基板的上下面分别设置有第一金属化层 |
| 22 | CN204596789U | 带卡环结构外壳的功率半导体模块 | 2015.08.26 | 带卡环结构外壳的功率半导体模块，它包括：外壳，散热基板，封装在外壳内的绝缘基板，二极管芯片，IGBT |
| 23 | CN104867889A | 一种带有热管系统的功率模块 | 2015.08.26 | 一种带有热管系统的功率模块，它主要包括：外壳，键合引线，半导体芯片，金属化陶瓷衬底，第一焊接层，第二 |
| 24 | CN204596786U | 一种功率模块 | 2015.08.26 | 一种功率模块，它主要包括：一基板；一个或多个半导体芯片和一个或多个功率端子连接底座通过钎焊焊接至基板 |
| 25 | CN104867897A | 一种二极管功率模块 | 2015.08.26 | 一种二极管功率模块，它主要包括：半导体芯片，金属化陶瓷衬底，铝带，散热基板和外壳，所述的二极管芯片通 |
| 26 | CN104835735A | 一种沟槽IGBT器件的制造方法 | 2015.08.12 | 一种沟槽IGBT器件的制作方法，它包括如下步骤：a）首先在N型外延硅衬底或者区熔片上进行P阱光刻，形 |
| 27 | CN104835796A | 一种无铅扩散焊的功率模块 | 2015.08.12 | 一种无铅扩散焊的功率模块，它主要包括：金属化陶瓷衬底，半导体芯片，键合金属线，第一焊接层，第二焊接层 |
| 28 | CN203983258U | 一种组合式键合外壳 | 2014.12.03 | 一种组合式键合外壳，它主要由外壳套、若干个端子和外壳底板通过组装而成，所述的端子根据具体电路布置插入 |
| 29 | CN203775045U | 一种智能半导体功率模块 | 2014.08.13 | 一种智能半导体功率模块，它主要包括：基体、外壳、功率引出端组件、信号输入输出接口、集成电路载体、半导 |
| 30 | CN203774298U | 一种带电极压力装置的功率半导体模块 | 2014.08.13 | 一种带电极压力装置的功率半导体模块，它包括一与功率半导体芯片进行焊接并进行铝线键合的绝缘金属基板，该 |
| 31 | CN203774285U | 一种功率模块封装用的散热基板 | 2014.08.13 | 一种功率模块封装用的散热基板，它包括一块采用纯铜、铜合金、纯铝或铝合金材料之一的基板，在该基板的表面 |
| 32 | CN203774291U | 一种金属连接件及功率半导体模块 | 2014.08.13 | 一种金属连接件及功率半导体模块，所述的金属连接件主要由一端通过冷轧、滚压、冲压等方法使金属的晶格发生 |
| 33 | CN203774281U | 一种整体注塑封装的智能功率模块 | 2014.08.13 | 一种整体注塑封装的智能功率模块，它采用铝基板作为功率器件的散热基板，并以铝基板的电路层作为控制电路载 |
| 34 | CN203747635U | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块 | 2014.07.30 | 一种四象限绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、信号 |
| 35 | CN203746821U | 一种便于安装的功率半导体模块 | 2014.07.30 | 一种便于安装的功率半导体模块，它主要包括：直接覆铜基板、功率半导体芯片、外壳、功率端子组件、芯片包覆 |
| 36 | CN203746840U | 一种大功率半桥模块 | 2014.07.30 | 一种大功率半桥模块，它包括有一块散热基板，在该散热基板上至少粘结有四个绝缘基板，所述绝缘基板上通过回 |
| 37 | CN203746843U | 一种功率半导体模块 | 2014.07.30 | 一种半导体功率模块，它主要包括基体，衬板，功率半导体芯片，功率引出端，电路信号引出端、外壳和支架；所 |
| 38 | CN203746841U | 功率半导体模块 | 2014.07.30 | 一种功率半导体模块，它至少包含两块连接在散热基板上面的绝缘基板，每个绝缘基板上分别连接有功率端子和信 |
| 39 | CN203747653U | 一种逆变焊机的拓扑结构 | 2014.07.30 | 一种逆变焊机拓扑结构，它包括逆变焊机主变压器、负载电感，所述逆变焊机二次侧的负载电感前置，并与所述主 |
| 40 | CN203746852U | 一种平板式功率半导体模块 | 2014.07.30 | 一种平板式功率半导体模块，它包括一在两对称的外侧分别布置有输入侧功率端子和输出侧功率端子的外壳主体， |
| 41 | CN203746842U | 一种散热一体化功率模块的封装结构 | 2014.07.30 | 一种散热一体化功率模块的封装结构，它主要包括：基板、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板 |
| 42 | CN203746829U | 一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块 | 2014.07.30 | 一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块，它主要包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯 |
| 43 | CN203746828U | 一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 | 2014.07.30 | 一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖 |
| 44 | CN203746830U | 一种利用水冷散热器双面散热的模块功率封装结构 | 2014.07.30 | 一种利用水冷散热器双面散热的模块功率封装结构，它包括一带有进水口和出水口的扁平状水冷散热器，所述水冷 |
| 45 | CN203746860U | 一种IGBT芯片结构 | 2014.07.30 | 一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局 |
| 46 | CN102520294B | 功率器件的功率循环系统 | 2014.05.14 | 本发明公开了一种功率模块的功率循环的测试系统，适用于对功率器件的功率循环进行可靠性进行测试，该测试系 |
| 47 | CN103794578A | 一种高频大功率碳化硅MOSFET模块 | 2014.05.14 | 一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖 |
| 48 | CN103779403A | 一种IGBT芯片结构 | 2014.05.07 | 一种IGBT芯片结构，它主要包括栅极焊盘、发射极焊盘、栅极总线，其特征在于所述IGBT芯片的版图布局 |
| 49 | CN103779291A | 一种功率模块封装用的散热基板 | 2014.05.07 | 一种功率模块封装用的散热基板，它包括一块采用纯铜、铜合金、纯铝或铝合金材料之一的基板，在该基板的表面 |
| 50 | CN103779315A | 一种散热一体化功率模块的封装结构 | 2014.05.07 | 一种散热一体化功率模块的封装结构，它主要包括：基板、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板 |
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